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ir2104中文资料详细(ir2104引脚图

作者:秒速赛车    来源:网络整理    发布时间:2022-01-12 15:03    浏览量:

  IR2104(S)高电压,高转速动力MOSFET和GBT驱动器与相关的高与低侧参考输出通道专有HVIC和锁存免疫CMOS技术使坚固耐用的单片式结构逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出下降到33V逻辑输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,最低驱动器交叉传导浮贵沟道,可用于驱动一个N沟道功率MOSFET或IGBT其中可从10到600伏的高侧配置。

  ir2104特点

  1.设计为引导操作浮动通道

  充分运作,以+600V

  耐负瞬态电压

  dVIdt免疫

  2.栅极驱动电压范围从10到20V

  3.欠压锁定

  4.兼容33V5V和15V输入逻辑

  5.跨导预防逻辑

  6.内部设置死区时间

  7.同相输入高侧输出

  8.关闭输入关闭两个通道

  9.匹配的传播延迟为两个通道

  10.也可用无铅

  ir2104技术参数

  引脚数目:8

  安装:通孔

  最大工作温度:125°C

  最小工作温度:-40°C

  最大升压时间:170ns

  最大接通时延:60ns

  最大断路时延:60ns

  最大电源电流:0.27A

  桥类型:半桥

  输出数目:2

  ir2104引脚图及功能说明

ir2104中文资料详细(ir2104引脚图_真值表及驱动电路)

  r2104管脚功能描述:

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  ir2104绝对最大额定值

ir2104中文资料详细(ir2104引脚图_特点和技术参数及驱动电路)

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